型号:FQD4N20LTM | 类别:FET - 单 | 制造商:Fairchild Semiconductor |
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 描述:MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK |
系列 | QFET™ |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.35 欧姆 @ 1.6A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 5.2nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 310pF @ 25V |
功率_最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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